積層体およびその製造方法ならびに絶縁膜および半導体装置

  • Inventors:
  • Assignees: Jsr株式会社
  • Publication Date: September 02, 2009
  • Publication Number: JP-4324786-B2

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      WO-2011149029-A1December 01, 2011Jsr株式会社Procédé de formation de motif isolant, et substance pour formation de motif isolant pour un traitement de damasquinage